光吸脱衣舞娘

高效NMP免费负面色调光抗剂去除剂主要用于TSV面膜和焊接碰撞应用。与标准的TMAH基于标准的TMAH混合物相比，该TMAH/DMSO化学的新型剥离配方旨在解决层压的光质和液体树脂的开发，其新型剥离配方表现出高溶解性能，并且具有很高的金属兼容性。剥离性能已在包括WBR2010，WBR2100，Tok P50120等的各种层压膜上进行了验证。

技术^®NF52在不使用有害产品（例如NMP和羟胺）的情况下完全溶解了大多数光震毒。NF52成功执行，没有对铜表面的负面影响，从而保留了关键的精美特征，否则这些特征将受到光孔抗脱衣舞娘可以蚀刻成细节细节的光孔抗脱衣舞娘的负面影响。

我们的光抗抗光瘤师有效，并且与众多底物兼容。技术^®NF52已被记录在延长的沐浴寿命中，通常比标准的光震脱衣舞娘高2-3倍，从而节省了大量的运营成本。

高级NMP免费光震脱衣舞娘从DUV到厚的阳性，负树脂和钝化层返工，具有广泛的剥离应用。特别是理想的后端应用程序像TSV，CU支柱，颠簸等完整的树脂溶解厚膜光蛋白天例如THB 151N，AZ 125XT，OIR 906，SPR 3000，TOK等。同时保持与Cu，Al，Ni和SN的高金属兼容性。

技术^®MLO-07是用于TSV掩模，焊料碰撞，硬盘剥离和金属升降机应用的高效负和阳性光泽剂去除剂。开发用于解决高溶解性能和高材料兼容性，例如CU，AL，SN/AG，氧化铝，磁合金等。^®MLO-07优势是其工艺多功能性，与标准TMAH的混合物相比，其过程多功能性，更长的浴室寿命和更安全的替代方案。

专门配制以完全溶解AZEM高级光电抗光线线：AZ15NXT，AZ40XT，AZ4999和AZNLOF 2000系列。这种抗性剂提供了DMSO和无TMAH溶液的高金属兼容性。

技术^®Micro NGA II是一种基于有机的抗脱衣舞娘，致力于实现快速，完整的树脂溶解和/或抬起弹性有机膜，例如橡胶样树脂（SC 180，SC420），环氧树脂，油脂和反向蜡。NGA II不包含单声道和多羟基苯，例如儿茶酚，苯酚，氯化和/或萘腹基溶剂。

技术^®Micro D2是一种有机混合物，旨在解决具有高金属兼容性的选择性抵抗剥离和负面色调的发展。NMP替换溶液的这种较低的成本可以有效地剥离正阳性树脂，并在III/V底物（例如GAAS）上的总兼容性。

技术^®P1316是积极抵抗和负面抗拒的强大无NMP拆卸剂。该光抗脱脂剂在剥离最薄和厚的树脂（例如诺华，环氧树脂，聚酰亚胺和丙烯酸膜）方面有效。Technistrip®P1316已用于生产线中，用于显示重新设计，DUV剥离，厚实的负树脂去除，DOT去除，分子键合前清洁，干膜剥离等。